SGT-MOS - 乐瓦微

乐瓦微SGT-MOS产品采用了具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（Shield Gate Deep Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（ Rdson ）和栅极电荷（Qg），产品具有业内极低的FOM值（Rdson*Qg）。广泛应用于各种高频开关电源，BLDC控制，电池保护等市场。

LW Product Name	Configuration	Package	N/P	VDSS (V)	ID (A)	Pd (W)	VGS (V)	Vth (Typ)	Rdson(mΩ) @VGS4.5V Typ	Rdson(mΩ) @VGS4.5V Max	Rdson(mΩ) @VGS2.5V Typ	Rdson(mΩ) @VGS2.5V Max
*LWT1H02HX	Single	TOLL	N	100	308	357	±20	3.3	1.6	2
*LWT1H014H8	Single	TO-220AB	N	100	300	388	±20	3.5	1.8	2.3
*LWT1H014H5	Single	TO-263	N	100	300	388	±20	3.5	1.8	2.3
*LWT1H014HK	Single	TO-247	N	100	385	441	±20	3.5	1.8	2.3
*LWT1H014HX	Single	TOLL	N	100	385	441	±20	3.5	1.1	1.4
LWT1H014AX	Single	TOLL	N	100	430	468	±20	1.8	1	1.2
*LWT4T015AX	Single	TOLL	N	40	200	167	±20	1.7	1	1.5	1.5	2
*LWT4T015AD5	Single	PDFN5*6-8L	N	40	170	135	±20	1.7	1.4	2	1.9	2.5
*LWT4T01AD5	Single	PDFN5*6-8L CLIP	N	40	325	200	±20	1.7	0.9	1.2	1.3	1.6
LWT4T025HD5	Single	PDFN5*6-8L	N	40			±20	2.6	1.6	2