产品介绍丨乐瓦微推出新一代60V P沟道SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。

乐瓦微 2022-09-10

P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流，独特的栅极负压开启机制，使其成为高端开关的理想选择。P 沟道MOSFET特性的优势在于可简化栅极驱动技术，降低应用的设计复杂度，从而降低整体成本。

乐瓦微-60V P沟道MOSFET提供超低的导通电阻RDS(on)，在 VGS＝10V 条件下, 器件的 RDS(ON)_Typ低达5.5mΩ，广泛应用于电池保护、反极性保护、负载开关、电机控制及低压驱动等应用中。

乐瓦微-60V P沟道MOSFET封装范围包括TO-220、TO-263、TO-252、DFN5*6、PDFN3.3*3.3、SOP-8等多种封装形式，为设计人员优化系统提供最优的解决方案。

上一篇文章没有了