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TR-MOS
乐瓦微TR-MOS系列产品依托Fine pitch、Thin wafer、Optimized EPI 等先进技术优化设计,聚焦于最佳的性价比、最佳可靠性设计,面向工业类电机、电源、电池保护等市场应用,同时产品针对低开关频率进行优化设计、支持电流设计、极优的耐冲击能力、能在极端工作条件下可靠工作.
N/P
VDSS (V)
Package
Configuration
LW Product Name Configuration Package N/P VDSS
(V)
ID
(A)
Pd
(W)
VGS
(V)
Vth
(Typ)
Rdson(mΩ)
@VGS10V Typ
Rdson(mΩ)
@VGS10V Max
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V Typ
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V Max
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V Typ
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V Max
产品应用 规格书
LWN2005AD5 Single PDFN5*6-8L N 20 70 50 ±12 0.68 3.4 4 4.5 5.5
LWN2005AS Single SOP8 N 20 20 2.5 ±12 0.68 3.4 4 4.5 5.5
LWN2005AD3 Single PDFN3.3*3.3 N 20 55 25 ±12 0.68 3.4 4 4.5 5.5
LWN2005A4 Single TO-252 N 20 90 80 ±12 0.68 3.4 4 4.5 5.5
LWN2007AD3 Single PDFN3.3*3.3 N 20 50 30 ±12 0.68 5 6 6 7.5
LWN2007AD3D Dual PDFN3.3*3.3 N 20 40 20 ±12 0.68 5 6 6 7.5
LWN2007A4 Single TO-252 N 20 60 60 ±12 0.68 5 6 6 7.5
LWN2012AD3 Single PDFN3.3*3.3 N 20 25 15 ±10 0.7 8 10 11 15
LWN2012AL Single SOT-23-3L N 20 10 1.5 ±10 0.7 8 10 11 15
LWN2012A4 Single TO-252 N 20 30 45 ±10 0.7 8 10 11 15
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